La tecnología e Internet se han convertido en el centro de gravedad de los modelos de negocio actuales. Sin embargo, la ingente cantidad de datos que manejamos hoy ha hecho necesaria no solo la implementación de nuevos métodos de procesamiento y de gestión sino también la generación de dispositivos de almacenamiento mucho más potentes. En este contexto, Sacoel presenta las nuevas memorias 3D NAND de Apacer.
Soluciones inteligentes para un mercado cada vez más exigente
La memoria flash emergió como un dispositivo que por su bajo consumo de energía, su portabilidad, su seguridad y su reducido tamaño parecía idóneo para albergar toda la información necesaria. Pero ante la imparable multiplicidad de datos e información su primer diseño, la memoria 2D Flash NAND, empezó a mostrar importantes limitaciones en cuanto a su rendimiento y a su grado de precisión o exactitud. Por lo tanto, ha sido necesario perfeccionarla hasta dar con una nueva tecnología. El sistema de memoria 3D NAND emerge como la solución más adecuada a los retos actuales.
El paso de la flash 2D NAND a la flash 3E NAND
Los últimos años han estado realmente agitados en el entorno del flash NAND. El año pasado la enorme escasez de esta tecnología conllevó a una subida desmesurada de precios y ralentizó estrepitosamente la transición hacia la tecnología 3D NAND, cuyo principal hándicap se atribuía a los elevados costes de fabricación y a la complejidad de producción. Afortunadamente, la escasez finalizó y la tecnología pudo iniciar su camino de mejora. Además, el interés y la inversión de los fabricantes y proveedores ha dado sus frutos.
Era necesario aumentar la capacidad y reducir los costes
La memoria 2D NAND almacenaba los datos en forma de pila, y dependiendo del voltaje de la celda, se podía saber si ésta estaba completa o no. Según la tecnología flash NAND empleada es posible almacenar:
– 1 bits en Single Level CELL (SCL). Muestra mayor resistencia.
– 2 bits en los Multi-Level Cell (MLC). Otorga menor resistencia que la anterior.
– 3 bits en las Triple-Level Cell (TLC). Su resistencia es menor a la de las dos anteriores.
A medida que se fue empleando esta tecnología y fueron conocidas sus bondades, aumentaron las exigencias: los fabricantes requerían (y precisaban) aumentar la capacidad de las memorias y reducir sus costes. Con este fin, se comenzó a contraer las conexiones ente celdas. Esto supuso que, finalmente, dada la proximidad existente entre celdas, no pudiesen manejarlas correcta y eficientemente.
«los fabricantes requerían (y precisaban) aumentar la capacidad de las memorias y reducir sus costes»
Así, con el objetivo de contener el máximo número de celdas o transistores entre ellos y reduciendo costes, pero sin limitar su manejo o eficiencia, se consiguió crear una nueva memoria en la que sus celdas, en lugar de conectarse de forma horizontal lo hiciesen de manera vertical, lo que permitía conectar un mayor número de transistores y en un mismo espacio; así nació la memoria 3D NAND.
Como apunte, es necesario señalar que la memoria 3D NAND normalmente emplea flash MLC NAND o flash NAND TLC. De esta forma, los proveedores han logrado mejorar tanto su resistencia como su confiabilidad de ambas unidades, a través de complejos algoritmos para corregir errores y nivelar el desgaste, entre otros mecanismos.
Colocando el mismo conjunto de celdas en vertical (formando una U) se dio con un formato de menor tamaño y con una mejor funcionalidad.
Ventajas de la 3D NAND, la mejor versión de la memoria Flash de Apacer
La empresa Apacer ha presentado su nueva solución en memorias 3D NAND, una memoria flash que supera las limitaciones de las actuales memorias 2D Nand. Sacoel, como proveedor de la marca, será el encargado de distribuir esta tecnología en España, ofreciendo desde ya todas las posibilidades y ventajas de esta tecnología a sus clientes. ¿Qué ventajas presenta?
Mayor capacidad
Incorpora una tecnología con múltiples capas de apilamiento, lo que implica mayor volumen de almacenamiento. Además, su sofisticado circuito disminuye la interferencia entre sus celdas, lo que aumenta el rendimiento en general de la lectura y escritura.
Mayor eficiencia de energía
Esta tecnología utiliza un algoritmo de programación único que supone mayor velocidad y un menor consumo de energía que su predecesora.
Reducción de costes
Al superar las limitaciones físicas en el diseño y fabricación de la 2D NAND, se consigue reducir los costes por GB (gigabyte) y, a la vez, al acumularse en más capas, se está mejorando la relación precio-rendimiento. Del mismo modo, al optimizar el consumo eléctrico se logra disminuir el consumo de energía.
SSD notablemente optimizado
Esta solución presenta Over-Provisioning. Este término hace referencia al exceso de aprovisionamiento, que en un contexto de almacenamiento es la inclusión de capacidad adicional en una unidad de estado sólido, es decir la SSD (que proviene del acrónimo en inglés Solid State Drive). El sobreaprovisionamiento de SSD puede aumentar la resistencia de un disco de estado sólido al distribuir el número total de escrituras y borrados en una mayor población de bloques de flash. En definitiva, el Over-Provisioning optimiza el rendimiento, alivia el desgaste de la memoria y prolonga la vida útil de la SSD.
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